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熱門關(guān)鍵詞:高創(chuàng)特多晶硅材料平面圓靶材硅碳負(fù)極材料
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旋轉(zhuǎn)硅靶材為多晶或單晶,其中硅元素含量在99.9999%(6N)以上,相對密度應(yīng)不小于99.5%(以理論密度2.33 g/cm 3 計算);密度均勻性偏差應(yīng)不大于±0.2%,電阻率范圍為:0.005 Ω·cm~0.05 Ω·cm(可根據(jù)需方要求調(diào)配)
旋轉(zhuǎn)硅靶材表面無裂紋,無崩邊,顏色均勻一致;靶材內(nèi)部無夾雜物、污染物,氣孔直徑不大于 0.1 mm。
外觀尺寸質(zhì)量為:圓度的公差為±0.1 mm,同軸度的公差為±0.1 mm,或根據(jù)需方要求及技術(shù)圖樣加工。
常規(guī)規(guī)格尺寸:直徑為120-300mm,長度單根不大于1500mm,可根據(jù)用戶需求訂制加工。
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